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DISPOSITIVOS DE ESTADO SOLIDO



32 tesis en 2 páginas: 1 | 2
  • El óxido de zinc: crecimiento cristalino mediante transporte en fase gaseosa y caracterización de propiedades físicas .
    Autor: Tena Zaera Ramón.
    Año: 2004.
    Universidad: VALENCIA.
    Centro de lectura: Facultad de Física.
    Centro de realización: Facultad de Física (U.V.E.G.).
    Resumen: Esta tesis está centrada en el estudio del crecimiento cristalino y propiedades físicas del óxido de zinc (ZnO). Este material puede ser considerado como un semiconductor "antiguo", cuyo interés en la investigación se ha mantenido vivo durante varias décadas debido a su aplicación en diferentes áreas científicas e industriales, como son los dispositivos acusto-ópticos, los varistores, los sensores de gas, los electrodos transparentes conductores o su uso como ventana óptica en células solares. Además, en los últimos años ha surgido un interés especial debido a que sus propiedades físicas le convierten en un serio candidato para la fabricación de dispositivos optoelectrónicos en el rango del ultravioleta. La alta temperatura de fusión del ZnO hace que sea difícil abordar el crecimiento de cristales masivos de este material a partir de la fase liquida. Por tanto, el método hidrotermal y los métodos de transporte en fase gaseosa han sido los habitualmente utilizados para abordar el crecimiento de cristales de ZnO. Los cristales obtenidos mediante el método hidrotermal presentan una buena calidad estructural. Sin embargo, estos cristales contienen impurezas de litio y/o potasio, procedentes de los disolventes utilizados, que pueden afectar a las propiedades ópticas del ZnO. El crecimiento mediante métodos de transporte en fase gaseosa aparece como una alternativa atractiva para mejorar este punto. En el caso de los métodos de transporte en fase gaseosa es bien conocido que la velocidad de crecimiento del ZnO en sistemas cerrados, en el rango de temperaturas próximas a 1000 ºC y gradientes térmicos habituales, es muy baja si el proceso tiene lugar en ausencia de "especies adicionales". El uso de ciertas "especies adicionales" permite obtener velocidades de crecimiento mayores. En esta tesis hemos profundizado en la comprensión de los procesos involucrados en el crecimiento cristalino de ZnO mediante estos métodos, tanto en los mecanismos de generación de vapor como en los relacionados con el transporte de éste. El entendimiento de estos procesos ha sido muy útil para la optimización de la velocidad de crecimiento y para el control de la composición de la mezcla gaseosa existente dentro de la ampolla de crecimiento. Este hecho ha permitido actuar sobre la estequiometria de los cristales de ZnO y, por tanto, sobre sus propiedades físicas. Además, se han analizado diferentes estrategias para localizar y controlar el proceso de nucleación inicial. De esta forma se ha conseguido actuar sobre las propiedades estructurales de los cristales de ZnO. En este sentido, también se han sometido algunos de los cristales obtenidos a diferentes tratamientos térmicos posteriores al crecimiento. Estos se han llevado a cabo en le rango de temperaturas comprendido entre 900 y 1200 ºC tanto en vacío, como en atmósferas de oxígeno o zinc. Estos procesos térmicos han mejorado la calidad estructural de los cristales y, además, han aportado información sobre la naturaleza química y la concentración de defectos intrísencos puntuales presentes en los cristales de ZnO obtenidos. Para ello se han analizado la variación de sus propiedades estructurales, ópticas y eléctricas mediante diferentes técnicas de caracterización (difracción de rayos X de alta resolución, espectroscopia Raman, medidas de transmisión óptica y efecto may). Adicionalmente, en la última parte de esta tesis, se ha abordado el crecimiento de dos heerostructuras basadas en capas de ZnO con morfología nano-estructurada y su posible aplicabilidad como células solares. Las curvas tensión-voltaje (iV) obtenidas para la heterostructura ZnO/CdSe/CuSCN la convierten en una opción interesante para el desarrollo de una nueva tecnología en la producción de células solares. Este hecho pone de manifiesto la multifuncionalidad del ZnO.
  • DESARROLLO DE CELULAS SOLARES DE BANDA INTERMEDIA (DEVELOPMENT OF INTERMEDIATE BAND SOLAR CELLS) .
    Autor: CUADRA RODRIGUEZ LUCAS.
    Año: 2003.
    Universidad: POLITECNICA DE MADRID.
    Centro de lectura: E.T.S. DE INGENIEROS DE TELECOMUNICACION.
    Centro de realización: ETSI TELECOMUNICACION.
    Resumen: La "célula solar de banda intermedia" es un novedoso concepto fotovoltaico potencialmente más eficiente que la "célula de un gap". Permite la absorción de fotones de energía inferior a dicho gap gracias a una "banda intermedia" situada en el seno de éste. La fotocorriente, enriquecida por la absorción de fotones de baja energía, se inyecta a una tensión elevada -la correspondiente a la separación entre los pseudoniveles de Fermi de portadores mayoritarios en los emisores n+ y p+ entre los que se crece el material de banda intermedia- y sólo limitada por el gap primigenio del semiconductor y no por ninguno de los dos "sub-gaps" en los que la banda intermedia divide éste. La piedra angular sobre la que se yergue el concepto radica en la coexistencia de tres gases de electrones estadísticamente descritos por sus propios pseudoniveles de Fermi. En los albores de los trabajos recopilados en esta Tesis todavía no se había logrado llevar a la práctica este concepto, siendo sus propósitos el desarrollo del mismo y el diseño y fabricación de un prototipo basado en la emergente nano tecnología de "puntos cuánticos auto-organizados" hechos de InAs en GaAs. El análisis de su espectro de electroluminiscencia sugiere la coexistencia de tres gases de electrones caracterizados por sus correspondientes pseudoniveles de Fermi. Su eficiencia cuántica muestra una mayor corriente de cortocircuito que se atribuye a la absorción de fotones de energía menor que el gap. Ambas dos son los pilares en las que se sustenta el concepto de célula de banda intermedia.
  • MATERIALES MULTIFUNCIONALES: LÁMINAS Y HETEROESTRUCTURAS FERROELÉCTRICAS DE COMPOSICIONES BASADAS EN PBTIO3 .
    Autor: POYATO GALÁN ROSALÍA.
    Año: 2002.
    Universidad: AUTONOMA DE MADRID.
    Centro de lectura: CIENCIAS.
    Centro de realización: INSTITUTO DE CIENCIAS DE MATERIALES DE MADRID (CSIC).
    Resumen: La finalidad de este trabajo es la comprensión de los mecanismos que dan lugar a la mejora de las propiedades ferro-, piro- y piezoeléctricas de láminas delgadas de titanato de plomo modificado, para su aplicación en sensores piroeléctricos y dispositivos microelectromecánicos. Se han estudiado láminas delgadas de Pb0.76Ca0.24TiO3 y Pb0.88La0.88TiO3, y heteroestructuras multicapa de capas alternas de las anteriores composiciones. Se han tratado de promover orientaciones preferentes en las láminas, como la y la , las cuales dan lugar a una contribución importante a la polarización en la dirección prependicular al plano de la lámina. Para ello se ha utilizado un proceso de múltiple depósito y cristalización rápida en horno RTP. Se han depositado las láminas sobre substratos basados en silicio, lo que permite su integración en microelectrónica, y se han caracterizado ampliamente su estructura, microestructura y propiedades ferro-, piro- y piezoeléctricas. Se han realizado estudios eléctricos "macroscópicos" y medidas locales de las propiedades piezoeléctricas de las láminas, así como estudios de los efectos de la aplicación de tratamientos térmicos tanto a los substratos como a las láminas. Como consecuencia de las orientaciones preferentes obtenidas se han obtenido parámetros ferroeléctricos y piroeléctricos muy altos, que en el caso de las heteroestructuras multicapa han sido de Pr=38 uC.cm-2 y gamma = 51 x 10 -9 C.cm-2K-1.
  • RECOMBINACIÓN SUPERFICIAL Y DE VOLUMEN EN CÉLULAS SOLARES CON TECNOLOGÍA FÓSFORO-ALUMINIO SOBRE SILICIO .
    Autor: LAGO AURREKOETXEA ROSA.
    Año: 2002.
    Universidad: POLITECNICA DE MADRID.
    Centro de lectura: INGENIEROS DE TELECOMUNICACIÓN.
    Centro de realización: E.T.S.I. TELECOMUNICACIÓN.
    Resumen: El objetivo de esta tesis es contribuir al abaratamiento de la energía solar fotovoltaica. Para ello se ha optado por profundizar el conocimiento de la estructura n+pp+ basada en las difusiones de fósforo y aluminio sobre silicio tipo p, tecnología presente en la industria. Por un lado se ha evaluado experimentalmente la recombinación en volumen y superficie con difusión de aluminio por técnicas de detección de fotoconductancia (PCD y QSSPC). La recombinación es un mecanismo muy importante de pérdida de eficiencia. Las mencionadas técnicas han sido calibradas y puestas a punto en esta Tesis. Por otro lado se ha analizado la posibilidad de usar obleas más delgadas para fabricar las células, lo que reduciría la cantidad de silicio necesario por unidad de electricidad generada. Además, se ha contribuido en la transferencia a la industria de la tencología existente en el IES para la fabricación de células de concentración a 100 soles (lo que de nuevo reduce el silicio necesario, y requiere sistemas de concentración que pueden ser fabricados con materiales más baratos).
  • ESTRUCTURA DE DEFECTOS EN ALEACIONES TERNARIAS SEMICONDUCTORAS III-V .
    Autor: CASTRO FERNÁNDEZ MANUEL DE.
    Año: 2001.
    Universidad: CADIZ.
    Centro de lectura: CIENCIAS.
    Centro de realización: FACULTAD DE CIENCIAS.
    Resumen: La importancia que la tecnología de las telecomunicaciones ha adquirido en el mundo actual es cada vez mayor, y no cabe duda de que no es ajeno a ello el esfuerzo dedicado al estudio e investigación de los materiales que conforman los dispositivos optoelectrónicos. Los sistemas constituidos por aleaciones semiconductoras III-V son componentes clave de esos dispositivos, de ahí la importancia del estudio de esas aleaciones. En esta Tesis se realiza el estudio microestructural de cinco sistemas de aleaciones: InGaSb, InAlSb, InGaP, GaAsP y InCaAS. La elección de aleaciones III-V semiconductoras para su empleo como dispositivos opto-electrónico requiere un conocimiento previo lo más completo posible de sus propiedades y características. La dificultad de obtener una integración monolítica al crecer las epicapas, se debe a la diferencia de parámetro reticular entre ellas y tiene como consecuencia la aparición de defectos no deseables. Al mismo tiempo no solo deben considerarse los defectos debidos al desajuste reticular entre epicapa y sustrato, sino también otros factores que pueden afectar a la calidad de la epitaxia, como inhomogeneidades composicionales y estructurales en las epicapas. Se ha realizado un estudio mediante Microscopía Electrónica de Transmisión (TEM) de las aleaciones antes mencionadas, y se describe su microestructura bajo distintas condiciones y técnicas de crecimiento. En las aleaciones de compuestos de Sb, con un desajuste reticular alto, se han encontrado diferencias notables en su microestructura al pasar de InAlSb a InGaSb, con aparición de dislocaciones verticales, tal vez relacionadas con modulación composicional. En las aleaciones de InGaP y InGaAs, se comprueba la existencia de modulación composicional y, en algunos casos, ordenamiento atómico. En la única aleación crecida bajo tensión reticular, no se observa modulación composicional aunque aparecen grietas, defectos característicos de epitaxias crecidas a tracción. Con los resultados obtenidos, se establecen relaciones entre la inhomogeneidad composicional y estructural con las temperaturas de crecimiento para cada uno de los sistemas, deduciendo que cuando describimos microestructuralmente una epicapa, no basta tener en cuenta el signo y magnitud del desajuste reticular entre esta y el sustrato sobre el que se crece, sino que hay otros factores que debemos considerar en nuestro estudio, ya que la formación de las aleaciones están directamente relacionadas con sus respectivos diagramas de fase, y estos, a su vez, se encuentran profundamente modificados por tratarse de aleaciones formadas mediante un crecimiento epitaxial.
  • EFECTO LA RELAJACIÓN PLÁSTICA EN LÁSERES CON LONGITUD DE ONDA MAYOR A UNA MICRA BASADOS EN HETEROESTRUCTURAS PEIZOELÉCTRICAS SOBRE GAAS (111)B .
    Autor: GUTIÉRREZ PEINADO MARINA .
    Año: 2001.
    Universidad: CADIZ.
    Centro de lectura: CIENCIAS.
    Centro de realización: FACULTAD DE CIENCIAS.
  • MAGNETORRESISTENCIA BALISTICA: LA BASE DE LOS FUTUROS DISPOSITIVOS MAGNETORRESISTIVOS .
    Autor: MUÑOZ SÁNCHEZ MANUEL.
    Año: 2001.
    Universidad: AUTONOMA DE MADRID.
    Centro de lectura: CIENCIAS.
    Centro de realización: FACULTAD DE CIENCIAS.
    Resumen: La electrónica de espín, es un campo de investigación que en los últimos años ha despertado un gran interés y expectación debido a sus múltiples posibles aplicaciones tecnológicas. Especialmente los dispositivos magnetorresistivos, sistemas que presentan un cambio de su resistencia eléctrica cuando se aplican campos magnéticos externos, se vienen empleando en distaos dispositivos como sensores de campo magnético y cabezas de lectura y escritura en sistemas de almacenamiento magnético. La investigación en este tipo de sistemas se centra en la búsqueda de nuevos materiales y sistemas que presenten un mayor cambio de sus resistencia ante menores intensidades de campo magnético aplicados. En esta tesis se presentan investigaciones realizaadas sobre las propiedades magnetorresistivas de contactos metálicos de tamaño nanométrico, lo que se conoce como nanocontactos. Se ha demostrado como es posible medir cambios de hasta el 700% en la resistencia de un contacto de unos pocos nanometros de diámetro. Este efecto se demuestra que es debido a la dispersión que sufren los electrones de espín polarizado que atraviesan una pared de dominio confinada en el contacto. Así mismo se ha demostrado que el proceso de fabricación de estos contactos (electroquímico) proporciona a éstos la estabilidad y rigidez necesaria. También se han estudiado sistemas de multicapas metal/aislante. Se ha investigado un método mediante el cual es posilbe investigar los defectos de estas capas, defectos cuyo tamaño es en ocasiones menor que un nanómetro. Se ha demostrado que estos defectos son intrínsecos a las capas y no generados por el proceso de identificación. La existencia y la posibilidad de identificar estos defectos hace posible el formar nanocontactos entre las capas metálicas que se encuentran bajo estos defectos y clusters crecidos sobre estas multicapas. Por útlimo se han investigado métodos de formación de nanocontactos mediante el empleo de haz de iones focalizado (FIB). Se han investigado las propidades químicas y de transporte eléctrico de este tipo de contactos.
  • CRECIMIENTO POR MBE, FABRICACIÓN Y CARACTERIZACIÓN DE DETECTORES INFRARROJOS DE POZO CUÁNTICO DE INGAAS/GAAS .
    Autor: HERNANDO GARCÍA JORGE.
    Año: 2001.
    Universidad: POLITECNICA DE MADRID.
    Centro de lectura: INGENIEROS DE TELECOMUNICACIÓN.
    Centro de realización: ESCUELA TÉCNICA SUPERIOR DE INGENIEROS DE TELECOMUNICACIÓN.
    Resumen: Esta tesis presenta un estudio del crecimiento por epitaxia de haces moleculares, la fabricación y la caracterización de detectores de infrarrojo de pozo cuántico, utilizando la combinación de materiales InGaAs/GaAs para la detección en la región del espectro infrarrojo de 8 um a 12 um. El primer capítulo de la tesis resume brevemente algunos aspectos de interés sobre la radiación infrarroja y los diferentes tipos de detectores de infrarrojo, haciendo especial hincapié en los detectores de tipo óptico y en las diferentes clases de detector óptico como, por ejemplo, los detectores de infrarrojo de pozo cuántico (Quantum Well Infared Photodetector, QWIP). El capítulo 2 está dedicado por completo a los detectores de pozo cuántico, explicando sus características de funcionamiento. Este capítulo permite comprender la regla de selección generalmente atribuida a este tipo de detectores: la absorción de radiación que incide normalmente al plano de crecimiento de los pozos está prohibida. Pero también justifica cómo esta regla de selección puede verse relajada bajo determinadas circunstancias y cómo la utilización de detectores formados por pozos de InGaAs, sobre substratos GaAs(100) y GaAs(111)B, puede favorecer la detección en incidencia normal. De ahí que el resto de la tesis esté dedicado a crecer y caracterizar estructuras QWIP con pozos de InGaAs y barreras de GaAs sobre GaAs(100) y GaAs(111)B, con la finalidad de comprobar sus posibilidades en la detección de radiación en incidencia normal. En los capítulos 3 y 4 presentamos todo el trabajo que hemos realizado para el crecimiento por epitaxia de haces moleculares de las estructuras QWIP InGaAs/GaAs sobre ambos substratos. El capítulo 3 detalla el procedimiento de crecimiento desarrollado para controlar y reproducir las condiciones de dicho crecimiento. Mientra que en el capítulo 4 recoge los resultados obtenidos, mediante la aplicación del procedimiento anterior, en la optimización de las condiciones de crecimiento de pozos cuánticos de InGaAs y en la posterior utilización de esas condiciones para el crecimiento de estructuras tipo QWIP. Finalmente en el capítulo 5, analizamos la detección de las estructuras mediante dos técnicas de caracterización: la responsividad y la absorción. Este análisis ha requerido nuevas configuraciones de medida para las dos técnicas anteriores, así como el procesado de las muestras de guías de onda con biseles a 45º en dos extremos, con y sin dispositivos aislados. Los resultados obtenidos son los siguientes. Las estructuras QWIP InGaAs/GaAs sobre GaAs(100) detectan radiación infrarroja y las medidas realizadas permiten concluir que estos detectores no constituyen una alternativa para la detección de radiación incidiendo normalmente. Mientras que las estructuras QWIP InGaAs/GaAs sobre GaAs(111)B no han proporcionado los resultados esperados de acuerdo con las aproximaciones de diseño utilizadas. Una calidad estructural por debabjo de la que sería deseable, así como una elevada corriente de oscuridad, posiblemente debida a un inadecuado posicionamiento de los estados en el pozo, han dificultado la detección de radiación infrarroja con estas muestras.
  • DESARROLLO Y CARACTERIZACION DE MATERIALES SONOGEL-CARBONO COMO BASE PARA SENSORES ELECTROQUIMICOS .
    Autor: CORDERO RANDO M. MAR.
    Año: 2000.
    Universidad: CADIZ.
    Centro de lectura: CIENCIAS .
    Centro de realización: FACULTAD DE CIENCIAS.
    Resumen: En este trabajo se establece un nuevo procedimiento para la preparación de materiales compuestos constituidos por una matriz de dióxido de silicio y grafito mediante la química sol-gel. En este metodo, se utiliza la sonocatálisis, basada en el empleo de ultrasonidos de alta potencia, sobre la mezcla precursora metiltrimetoxisilano-agua, en presencia de un catalizador ácido pero sin utilizacion de disolvente alcohólico, para sintetizar un sol que, a continuación, se mezcla con grafito de alta pureza para constituir un material compuesto al que se denomina sonogel-carbono, y que resuelve los problemas asociados con una contracción de volumen y una porosidad excesiva del material electroquímico. Una primera etapa ha consistido en el desarrollo y establecimiento del metodo de fabricación del material compuesto, incluyendo estudios de las variables mas relevantes e influyentes del proceso, con seguimiento paralelo del comportamiento electroquimico del material mediante medidas en voltamperometría cíclica y observacion de los cambios en las propiedades mecanicas de los materiales sintetizados hasta llegar al establecimientos de un material que reuna caracteristicas adecuada para su utilización como electrodo. Posteriormente, se ha investigado el comportamiento de este electrodo tanto como sistema directo de medida para especies de diversa naturaleza (organica e inorganica), como soporte base para la incorporación de modificantes. En ambos conjuntos de estudios, los resultados obtenidos se consideran satisfactorios. Con respecto a la especie organica utilizada como modelo (4-cloro-3-metilfenol), se logra renovar efectivamente la superficie activa del electrodo mediante tratamiento electroquimico. Se han realizado estudios de estabilización de la señal (con adición de modificantes para controlar el tamaño de poro), caracterizacion de superficie del electrodo, estudios de repetibilidad de la señal y algunos estudios relativos a la tecnica de medida (voltamperometria de impulsos diferencial), asi como curva de calibrado. Con respecto a los iones metalicos, se ha comenzado a caracterizar la respuesta del electrodo frente a un grupo de ellos, tanto por separado como en conjunto aplicando la tecnica de redisolucion anódica y evaluando los resultados en base a los obtenidos hasta ahora en bibliografia referentes a las caracteristicas de las señales obtenidas con electrodos solidos basado en grafito. Por ultimo, se ha llevado a cabo un primer intento exitoso de incorporación de un material con un comportamiento caracteristico (una arcilla aniónica, la hidrotalquita [Ni/Al-C1] al material sintetizado y estudios relacionados con el.
  • MAGNETOTRASPORTE EN EL GAS DE ELECTRONES BIDIMENSIONAL: HETEROESTRUCTURAS SEMICONDUCTORAS DE INGAAS Y GAN.
    Autor: BRAÑA DE CAL ALEJANDRO FRANCISCO.
    Año: 2000.
    Universidad: AUTONOMA DE MADRID.
    Centro de lectura: CIENCIAS.
    Centro de realización: UNIVERSIDAD AUTONOMA DE MADRID.
    Resumen: El estudio de las propiedades de magnetotransporte son una herramienta muy poderosa para caracterizar los parámetros del gas de electrones bidimensionial (GE2D) y los mecanismos de dispersion presentes en las heteroestructuras en las que los GE2D se encuentran inmersas. Haciendo uso de las medidas experimentales de la magnetorresistencia transversal hemos obtenido estos parametros para tres tipo de heteroestructuras, dos de InGaAs y una de GaN, que presentan caracteristicas peculiares y distintas de la heteroestructura de GaAs que ha sido ampliamente estudiada en la literatura. Se presentan en esta Tesis los resultados para la masa efectiva, el tiempo de vida cuántico y el tiempo de vida de Drude, así como los efectos de la intensidad de la corriente para tres heteroestructuras semiconductoras III-V. La primera (que llamaremos S1) es un pozo cuantico de A1GaAs/InGaAs/GaAs. A partir de los resultados experimentales de la magnetorresistencia transversal se observa que la masa efectiva presenta un comportamiento oscilatorio y del cociente entre los dos tiempos de vida anteriormente citados se puede inferir que el mecanismo de dispersión presente en nuestra heteroestructura es la dispersión por impurezas ionizadas. Además, de los resultados en función de la intensidad de corriente se deduce el acoplamiento de los estados de borde y de volumen que se produce en el efecto Hall cuántico (EHC). La segunda de las muestras estudiadas (que llamaremos S3) es un pozo cuántico de AlGaAs/InGaAs que presenta dos subbandas ocupadas, lo que nos permite hacer un estudio detallado de los mecanismos de dispersion presentes en la estructura por medio del cociente entre el tiempo de vida cuantico y el tiempo de vida de Drunde para cada una de las dos subbandas. La tercera de las muestras (que llamaremos J1) es una heteroestructura de AlGaN/GaN. Estas estructuras presentan la mayor densidad de electrones conocida para un GE2D. A partir del estudio de las componentes diagonal y no-diagonal de la magnetorresistencia transversal obtenemos dos tiempos de vida de momento y uno de energia, los cuales proporcionan información muy valiosa sobre los mecanismos de dispersión presentes en estas heteroestructuras. Estos mecanismos caracterizan el GE2d y aportan una informacion más precisa que los resultados obtenidos en la literatura para la movilidad.
  • SIMULACION MONTE CARLO CUANTICA DE DIODOS TUNEL RESONANTE EN EL FORMALISMO DE LA FUNCION DE DISTRIBUCION DE WIGNER.
    Autor: GARCIA GARCIA JUAN JOSE.
    Año: 1999.
    Universidad: AUTONOMA DE BARCELONA.
    Centro de lectura: CIENCIAS.
    Centro de realización: FACULTAD DE CIENCIAS UAB.
    Resumen: El objetivo fundamental de la tesis consiste en diseñar e implementar una herramienta de simulación para dispositivos túnel resonante aplicable a estructuras reales. Tras el analisis de los diferentes modelos existentes en la literatura para la simulación del transporte electrónico en diodos túnel resonante, hemos llegado a la conclusión que el más adecuado es el tratamiento cinético cuántico basado en el formalismo de la función de distribución de Wigner, por su simplicidad frente al de las funciones de Green. Hemos desarrollado un simulador para solucionar autoconsistentemente las ecuaciónes de Lioville y Poisson siguiendo el esquema de dicretización propuesto por K.L. Jensen y F.A. Buot. Con este simulador, se ha analizado los efectos de los parámetros de simulacion sobre los resultados con objeto de obtener los parámetros óptimos para llegar a un compromiso entre rapidez y precisión. A partir de dicho simulador se ha llevado a cabo un analisis cualitativo exhaustivo de los efectos de las capas de separación no dopadas sobre el comportamiento de los diosos tunel resonante,concluyéndose que la caracteristica I-V es muy sensible a aquellas. Las simulaciones obtenidas sobre diodos tunel resonante con zonas no dopadas asimetricas son cualitativamente similares a resultados experimentales obtenidos sobre dispositivos con dopaje asimétrico. Con la intención de superar estos problemas, hemos diseñado un simulador que puede ser aplicado a dispositivos reales, sin renunciar a la rigurosidad de la descripción cinética cuántica que ofrecen las funciones de distribución de Wigner. Para conseguirlo, hemos combinado el metodo Monte Carlo clásico para resolver la ecuación de transporte de Boltzmann y nuestro algoritmo para resolver la ecuación de Lioville. Ello nos ha permitido reducir el tratamiento cuántico a aquella región en la que ésta resulta imprescindible (región de la doble barrera de potencial),considerandose un tratamiento clásico(mucho más efectivo desde un punto de vista comutacional) para el resto de la estructura. Esto nos ha llevado a poder considerar regiones de simulación mucho mayores sin un aumento significativo de los tiempos de cálculo. Utilizando el simulador Monte Carlo cuántico hemos podido ajustar una característica I-V experimental de una estructura multicapa. Modificando ligeramente la altura de barrera respecto del valor nominal hemos conseguido un ajuste bastante razonable. El simulador ha sido capaz de predecir correctamente las tensiones de resonancia y de valle, aunque los niveles de corriente varien ligeramente. Queremos destacar que la simulación de dispositivos reales requiere regiones de simulación mucho mayores de las que pueden considerarse en simuladores previos basados en la función de distribución de Wigner. El simulador Monte Carlo cuántico presentado en esta memoria supone pues un avance en este sentido.
  • CONTRIBUCIÓN AL DESARROLLO DE BARRERAS SCHOTTKY DE SILICIURO Y SU APLICACIÓN A LA DETECCIÓN DE RADIACIÓN INFRARROJA .
    Autor: JIMENEZ LEUBE FRANCISCO JAVIER.
    Año: 1999.
    Universidad: POLITECNICA DE MADRID.
    Centro de lectura: INGENIEROS DE TELECOMUNICACION.
    Centro de realización: E.T.S.I TELECOMUNICACIÓN.
    Resumen: El objetivo de esta tesis es el desarrollo de una tecnología base para la fabricación de detectores de siliciuro de iridio reproducibles y homogéneos en sus características. En función de la bilbiografía y de nuestra experiencia previa se determina como punto crítico la síntesis de la película de siliciuro de Iridio. Se desarrollan las rutas de procesos tecnológicos que permiten fabricar dioldos y detectores de barrera Schottky de siliciuro de Iridio con diferentes estructuras: con y sin anillo de gaurda, para iluminación frontal o posterior y con cavidad dieléctrica resonante para optimizar la respuesta óptica de los detectores. Se ha estudiado del efecto de lso tratamientos térmicos (la temperatura, duración y composición de la atmósfera en la que se realizan) en horno de flujo constante, en el interior del sistema de evaporación(In-Situ) y mediante tratamiento térmico rápido (RTP). Dado que los métodos tradicionales de caracterización (RBS, SIMS, Auger, TEM) no permiten analizar la itercara silicio-siliciuro conla suficiente resolución lateral y/o en profunidad ha sido necesario adaptar un método experimetnal indirecto: el análisis de las características tensión-corriente en función de la temperatura de medida (espectroscopía I-V-T) en el rango de temperaturas donde la emisión termoiónica es dominante. El estudio de las características de los diodos fabricados sobre sustratos tipo-n y su correlación con los resultados obtenidos de la caracterización metalúrgica permite determianr si la intercara silicio-siliciuro resultante es homogénea. Las conclusiones de este estudio permiten definir como métodos óptimos para la fabricación de los detectores los tratamientos mediante RTP en atmósfera de Ar y los tratamientos en el interior del sistema de evaporación a temperaturas inferiores a 400ºC. Como verificación de la idoneidad del método experimental y de las conclusiones extraídas del estudio anterior se ha fabricado y caracterizado una pequeña se rie de detectores de infrarrojo. La respuesta óptica de los detectores demuestra que serían aplciables par ala detección de radiación infrarroja en la tercera ventana de propagación atmosférica (8-14 um).
  • INTEGRACION DE OXIDOS ELECTRO-OPTICOS MEDIANTE ABLACION CON LASER.
    Autor: ALFONSO ORJUELA JOSE EDGAR.
    Año: 1997.
    Universidad: AUTONOMA DE MADRID.
    Centro de lectura: CIENCIAS.
    Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA DE MATERIALES PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA DE MATERIALES.
    Resumen: Mediante la técnica de ablación con láser se han crecido láminas delgadas de sillenitas, Bi12M020 (M=Ga, Ti, ZnP, CdP, NiP) sobre sustratos de (001)YSZ (110)BSO y (100)BGO. Durante el desarrollo del estudio se han establecido los parámetros óptimos de crecimiento para producir láminas con una alta calidad cristalina y alto grado de epitaxia. Se han establecido las relaciones de epitaxia entre el plano (001) del YSZ y el (310) de la sillenita. Las láminas obtenidas se comportan como guías de onda y además son fotoconductoras. También se han crecido por la misma técnica, láminas de niobato de litio dopadas con neodimio. Se han establecido las condiciones óptimas de depósito, se ha determinado el límite superior de incorporación del Nd a la lámina y se ha caracterizado la fotoluminiscencia infrarroja del Nd en la lámina. La fotoluminiscencia obtenida es similar a la observada en los monocristales, si bien, en la lámina se observa un ensanchamiento inhomogeneo en la emisión.
  • NANOESTRUCTURAS EN CAMPOS MAGNETICOS INTENSOS: EFECTOS DE CORRELACION.
    Autor: HERNANDEZ OAKNIN JACOB.
    Año: 1996.
    Universidad: AUTONOMA DE MADRID.
    Centro de lectura: CIENCIAS.
    Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA TEORICA DE LA MATERIA CONDENSADA PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA DE LA MATERIA CONDENSADA.
    Resumen: EN ESTA TESIS SE HAN ESTUDIADO DISTINTOSASPECTOS DE LA FISICA DE UN PUNTO CUANTICO SOMETIDO A UN INTENSO CAMPO MAGNETICO EN EL REGIMEN HALL CUANTICO. HEMOS ESTUDIADO Y DESCRITO LA RAMA DE EXCITACIONES DE MAS BAJA ENERGIA, DE ENTRE LAS QUE NO INVOLUCRAN AL SPIN, DE UN PUNTO CUANTICO EN EL REGIMEN DE OCUPACION 1/Q. HEMOS DESCRITO LAS TEXTURAS DE SPIN DE CARACTER SKYRMIONICO QUE OCURREN EN PUNTO CUANTICO A OCUPACION 1. HEMOS DESCRITO COMO SON LAS ONDAS DE SPIN EN UN PUNTO CUANTICO, Y DISCUTIDO SI ES UNA TEXTURA DE SPIN O UNA EXCITACION POLARIZADA LA RESPONSABLE DE LA PRIMERA INESTABILIDAD DE UNA GOTA EN EL REGIMEN DE OCUPACION 1.
  • CONTRIBUCION AL DISEÑO DE DISPOSITIVOS PARA CIRCUITOS OPTICOS INTEGRADOS SOBRE FOSFURO DE INDIO.
    Autor: FERRERAS GARCIA ANTONIO.
    Año: 1995.
    Universidad: POLITECNICA DE MADRID.
    Centro de lectura: INGENIEROS DE TELECOMUNICACION.
    Centro de realización: DEPARTAMENTO: TECNOLOGIA ELECTRONICA PROGRAMA DE DOCTORADO: MATERIALES Y DISPOSITIVOS ELECTRONICOS.
    Resumen: EL CAMPO DE LAS COMUNICACIONES OPTICAS ESTA EXPERIMENTANDO UN PRECIPITADO DESARROLLO. ES DE PREVEER QUE EN UN FUTURO SIGA EL CAMINO QUE EXPERIMENTO LA ELECTRONICA, FABRICANDO A UN BAJO PRECIO MULTITUD DE COMPONENTES INTEGRADOS EN UN MISMO CHIP. PARA ELLO, ES CONVENIENTE REALIZAR UN DISEÑO CUIDADOSO QUE TENGA EN CUENTA, ADEMAS DE LAS FUNCIONALIDADES REQUERIDAS PARA LOS COMPONENTES, SU VIABILIDAD DE FABRICACION COMO PARTE DE UN CHIP EN EL QUE EXISTIRAN OTROS DISPOSITIVOS DIFERENTES. LA TESIS ESTA ENCUADRADA EN EL AREA DE CONOCIMIENTO DE LA OPTOELECTRONICA. UN CIRCUITO OPTICO INTEGRADO ES UN CIRCUITO OPTICO MONOLITICO DE TECNOLOGIA PLANAR DISEÑADO PARA REALIZAR UNA DETERMINADA FUNCION INTEGRANDO DOS O MAS DISPOSITIVOS. LOS CIRCUITOS EMPLEADOS PARA TRABAJAR EN LA TERCERA VENTANA OPTICA SE FABRICAN CON CAPAS EPITAXIALES DE MATERIAL CUATERNARIO FOSFO-ARSENIURO DE GALIO-INDIO, INGAASP, SOBRE SUBSTRATO DE FOSFURO DE INDIO INP, DEBIDO A QUE LA SEPARACION DEL GAP ES ACORDE CON ESA ENERGIA. EL CAMBIO DE TECNOLOGIA QUE SUPONEN LOS CIRCUITOS INTEGRADOS OPTICOS, FRENTE A LOS CIRCUITOS HIBRIDOS INTERCONECTADOS POR MEDIO DE FIBRA OPTICA, SUPONE UN CAMBIO DE CONCEPCION EN EL DISEÑO DE LOS COMPONENTES, SIMILAR AL OCURRIDO CON LOS CIRCUITOS INTEGRADOS ELECTRONICOS; ASI, DENTRO DE UN CIRCUITO OPTICO INTEGRADO, LOS DISPOSITIVOS NECESITAN ESTAR INTERCONECTADOS OPTICAMENTE POR MEDIO DE GUIA-ONDAS, AISLADOS ELECTRICAMENTE Y CORRECTAMENTE ALINEADOS; ES PREFERIBLE QUE SEAN LO MAS PEQUEÑOS Y COMPACTOS POSIBLE; ADEMAS, LA FABRICACION IMPONE UNA SERIE DE REQUISITOS QUE HACEN QUE, JUNTO CON LAS CONDICIONES ANTERIORES, EL DISEÑO DE ESTOS COMPONENTES SEA UNA LABOR DELICADA Y NOVEDOSA, YA QUE NO SIRVEN LOS COMPONENTES OPTICOS DISCRETOS COMERCIALES ACTUALMENTE. EL TRABAJO DE ESTA TESIS SUPONE UNA CONTRIBUCION PARA CONSEGUIR UNOS DISEÑOS OPTOELECTRONICOS ACORDES PARA LA INTEGRACION EN CHIP CON TECNOLOGIA DE FOSFURO DE INDIO. PARTIENDO DE DOS GRANDES PROYECTOS DE LA DIVISION DE OPTOELECTRONICA DE TELEFONICA I + D COMO SON EL DISEÑO Y FABRICACION DE UN ARRAY DE LASERES SINTONIZABLES Y UN RECEPTOR OPTICO COHERENTE CON DIVERSIDAD DE POLARIZACION, SE EXPLICAN DETALLADAMENTE EL ESTUDIO Y DISEÑO DE DIVERSAS PARTES COMPONENTES DE DICHOS SISTEMAS.
  • OBTENCIO DE FOTODIODES DE SILICI AMORF HIDROGENAT AMB ESTRUCTURA P-I-N.
    Autor: PUIGDOLLERS GONZALEZ JOAQUIN.
    Año: 1995.
    Universidad: BARCELONA.
    Centro de lectura: FISICA.
    Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA APLICADA Y ELECTRONICA PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA Y TECNOLOGIA DE MATERIALES .
    Resumen: EL OBJETIVO DEL TRABAJO HA CONSISTIDO EN LA OBTENCION DE FOTODIODOS DE SILICIO AMORFO HIDROGENADO CON ESTRUCTURA P-I-N, A PARTIR DEL DEPOSITO QUIMICO EN FASE VAPOR ASISTIDO POR PLASMA. EL TRABAJO PUEDE DIVIDIRSE EN DOS PARTES: A) OPTIMIZACION DE LOS PARAMETROS TECNOLOGICOS DE OBTENCION DE LAS CAPAS DOPADAS TIPO P (OBTENIDAS A PARTIR DE LA UTILIZACION DE DIBORANO Y/O TRIMETILBORO) Y TIPO N (A PARTIR DE FOSFINA). B) OBTENCION DE LOS FOTODIODOS, UTILIZANDO CAPAS DOPADAS OPTIMIZADAS. LOS RESULTADOS PUEDEN RESUMIRSE EN: -SE HAN OBTENIDO FOTODIODOS CON MUY BUEN CARACTER RECTIFICADOR, CON CORRIENTES EN INVERSO (V=-2V) INFERIORES A 10-10 A/CM2, CON BUENA RESPUESTA ESPECTRAL Y MUY BUENA LINEALIDAD ENTRE LA INTENSIDAD FOTOGENERADA Y LA IRRADIACION. ESTOS RESULTADOS SE ENCUENTRAN ENTRE LOS MEJORES REPORTADOS, Y PERMITIRIAN LA CONSTRUCCION DE SENSORES DE IMAGEN CON MUY BUENAS PRESTACIONES.
  • IMPLANTACION IONICA EN INP PARA APLICACIONES EN DISPOSITIVOS .
    Autor: MARTIN PACHECO JAIME MIGUEL.
    Año: 1994.
    Universidad: COMPLUTENSE DE MADRID.
    Centro de lectura: FISICA.
    Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA APLICADA III (ELECTRICIDAD Y ELECTRONICA) PROGRAMA DE DOCTORADO: TECNICAS AVANZADAS EN ELECTRONICA.
    Resumen: LA PRESENTE TESIS MUESTRA EN PRIMER LUGAR LOS SISTEMAS DE CONTROL DISEÑADOS Y DESARROLLADOS PARA CONSEGUIR EL PERFECTO FUNCIONAMIENTO DEL IMPLANTADOR DE LA FACULTAD DE FISICAS. SE PRESENTA LUEGO UN COMPLETO ESTUDIO DE LA OBTENCION POR IMPLANTACION DE CAPAS TIPO N (POR IMPLANTACIONES DE SI Y SI/P), TIPO P (CON MG, MG/P O MG/AR) Y CAPAS DE ALTA RESISTIVIDAD (POR HE Y TI) EN INP, TANTO DESDE EL PUNTO DE VISTA ELECTRICO (MEDIDAS DE RESISTIVIDAD Y EFECTO HALL Y DE SIMS) COMO OPTICO (POR FOTOLUMINISCENCIA Y ESPECTROSCOPIA RAMAN). FINALMENTE, SE DESCRIBEN LAS CARACTERISTICAS EN CONTINUA Y ALTERNA DE UNIONES SCHOTTKY Y P-N, REALIZADAS POR IMPLANTACION TANTO EN SUSTRATOS SEMIAISLANTES COMO EN SUSTRATOS CON CONDUCTIVIDAD TIPO N O P. LAS MEDIDAS EN ALTERNA INCLUYERON LAS TECNICAS DE ESPECTROSCOPIA DE ADMITANCIAS Y DLTS, Y PUSIERON DE MANIFIESTO LA APARICION DE VARIOS NIVELES PROFUNDOS DEBIDOS AL TRATAMIENTO DE RTA APLICADO, ASI COMO OTROS DEBIDOS A DEFECTOS INTRODUCIDOS POR LA IMPLANTACION.
  • PROCESOS DE IMANACION EN MATERIALES AMORFOS LOCALMENTE TRATADOS .
    Autor: MORON FERNANDEZ CARLOS.
    Año: 1994.
    Universidad: COMPLUTENSE DE MADRID.
    Centro de lectura: FISICA.
    Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA DE MATERIALES PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA DE MATERIALES.
    Resumen: EN ESTE TRABAJO SE REALIZA EL ESTUDIO Y CARACTERIZACION DE DIVERSOS MATERIALES AMORFOS FERROMAGNETICOS, QUE SE HAN VISTO SOMETIDOS A DIVERSOS TRATAMIENTOS TERMICOS. SE ANALIZAN LOS METODOS DE PREPARACION DE LAS MUESTRAS TALES COMO, METODO DE CORTE Y TRATAMIENTOS TERMICOS, Y LOS DISTINTOS METODOS DE MEDIDA USADOS A FIN DE PODER ESTUDIAR ADECUADAMENTE LAS DIFERENTES PROPIEDADES MAGNETICAS. PARA LA REALIZACION DE LAS MEDIDAS MAGNETICAS, A PARTE DE LOS METODOS TRADICIONALES DE OBTENCION DE CICLOS DE HISTERESIS Y ESTRUCTURAS DE DOMINIOS YA CONOCIDOS, HEMOS DESARROLLADO UN METODO CON EL QUE SOMOS CAPACES DE OBTENER LOS VEINTE PRIMEROS ARMONICOS DE LA SEÑAL QUE PRODUCE UNA MUESTRA AL SER EXCITADA MEDIANTE UN CAMPO MAGNETICO, Y DE RECONSTRUIR CON ELLOS EL CICLO DE HISTERESIS DE DICHA MUESTRA. ASIMISMO, SE HA REALIZADO EL MONTAJE Y PUESTA A PUNTO DE UNA INSTALACION PARA EL TRATAMIENTO DIGITAL DE IMAGENES, CON LA QUE PODEMOS OBTENER LA CONFIGURACION DE DOMINIOS Y LA DIRECCION LOCAL DE LA IMANACION UTILIZANDO EL EFECTO KERR MAGNETO-OPTICO. LOS TRATAMIENTOS TERMICOS APLICADOS A LAS MUESTRAS LOS PODEMOS DIVIDIR EN DOS GRUPOS PRINCIPALES: POR UN LADO TENEMOS EL RECOCIDO CONVENCIONAL, QUE PRODUCE UN CAMBIO GLOBAL Y UNIFORME EN LAS PROPIEDADES MAGNETICAS DE LAS MUESTRAS TRATADAS, Y POR OTRO LADO EL TRATAMIENTO TERMICO MEDIANTE EL FLASH-ANNEALING, EL CUAL SE REALIZA HACIENDO PASAR UNA CORRIENTE ELECTRICA POR LA MUESTRA. PARA REALIZAR DICHOS TRATAMIENTOS TERMICOS, SE HAN DESARROLLADO DIVERSOS DISPOSITIVOS ELECTRONICOS QUE NOS PERMITEN DAR PULSOS DE CORRIENTE DE HASTA 15 A EN INTERVALOS DE TIEMPOS COMPRENDIDOS ENTRE 14 US Y 4096 MS. EL ESTUDIO REALIZADO MEDIANTE ESTE SEGUNDO METODO, NOS PERMITE COMPARAR LOS CAMBIOS PRODUCIDOS EN LAS PROPIEDADES MAGNETICAS DE LAS MUESTRAS CON LOS DEL PRIMER METODO, ASI COMO EL ESTUDIO DE LA CINETICA DEL PROCESO. ASIMISMO, MEDIANTE EL FLASH-ANNEALING SOMOS CAPACES DE TRATAR LOCALMENTE LAS MUESTRAS, ES DECIR, DE CAMBIAR LAS PROPIEDADES MAGNETICAS DE LAS MISMAS LOCALMENTE. DE ESTA FORMA, CONTROLANDO MUY BIEN TODOS LOS PARAMETROS INVOLUCRADOS EN EL PROCESO, PODEMOS INDUCIR DISTINTAS ANISOTROPIAS LOCALES PARA SU POSIBLE USO EN EL CAMPO DE LOS SENSORES.
  • ANALISIS DEL RUIDO ELECTRONICO EN MATERIALES Y DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES UNIPOLARES MEDIANTE EL METODO DE MONTE CARLO.
    Autor: GONZALEZ SANCHEZ TOMAS.
    Año: 1993.
    Universidad: SALAMANCA.
    Centro de lectura: CIENCIAS .
    Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA APLICADA PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA APLICADA .
    Resumen: EL ANALISIS DEL RUIDO ELECTRONICO EN MATERIALES Y DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES ES DE GRAN INTERES, PUES PROPORCIONA INFORMACION ACERCA DE LOS FENOMENOS DE TRANSPORTE QUE EN ELLOS TIENEN LUGAR Y PERMITE LA OPTIMIZACION DE LOS DISPOSITIVOS. PARA SU ESTUDIO TEORICO ES PRECISA LA UTILIZACION DE UN MODELO QUE INCORPORE DE MODO NATURAL LOS PROCESOS FISICOS CAUSANTES DEL RUIDO, Y QUE PROPORCIONE EL VALOR INSTANTANEO DE LA FUNCION DE DISTRIBUCION DE LOS PORTADORES DEPENDIENTE DEL TIEMPO Y DEL ESPACIO. LA UNICA TECNICA DE SIMULACION QUE CUMPLE ESTOS REQUISITOS ES EL METODO DE MONTE CARLO, QUE EN ESTE TRABAJO SE HA UTILIZADO PARA ANALIZAR EL RUIDO ELECTRONICO EN MATERIALES Y DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES UNIPOLARES EN EL RANGO DE FRECUENCIAS DE MICROONDAS Y SUPERIORES. CON EL OBJETIVO FINAL DE LLEGAR AL ESTUDIO DEL RUIDO EN DISPOSITIVOS CON APLICACIONES REALES, COMO DIODOS DE BARRERA SCHOTTKY Y MESFETS SE HAN ANALIZADO PREVIAMENTE DIVERSAS ESTRUCTURAS SEMICONDUCTORAS DE COMPLEJIDAD CRECIENTE QUE SON LA BASE DE ESTOS. ASI, SE HA COMENZADO ESTUDIANDO LAS FLUCTUACIONES DE VELOCIDAD EN MATERIAL HETEROGENEO SIN LIMITES, DESPUES SE HA INVESTIGADO LAS FLUCTUACIONES DE CORRIENTE Y VOLTAJE EN ESTRUCTURAS HOMOGENEAS FINITAS Y EN ESTRUCTURAS N+NN+, PARA LLEGAR FINALMENTE A LOS DIODOS DE BARRERA SCHOTTKY Y AL MESFET. EN CADA CASO SE HAN DETECTADO LAS DIVERSAS FUENTES DE RUIDO ORIGEN DE LAS FLUCTUACIONES, SE HA EXAMINADO SU COMPORTAMIENTO EN FRECUENCIA Y SE HAN LOCALIZADO ESPACIALMENTE EN LOS DISPOSITIVOS A TRAVES DEL ANALISIS ESPACIAL DEL RUIDO EN VOLTAJE.
  • FIJADO FOTORREFRACTIVO EN LINBO3 Y APLICACIONES .
    Autor: MULLER RENE.
    Año: 1993.
    Universidad: AUTONOMA DE MADRID .
    Centro de lectura: CIENCIAS.
    Centro de realización: DEPARTAMENTO: FISICA DE MATERIALES C-IV PROGRAMA DE DOCTORADO: FISICA APLICADA.
    Resumen: EN ESTE TRABAJO SE HA ESTUDIADO EL FIJADO DE REDES HOLOGRAFICAS EN EL MATERIAL FOTORREFRACTIVO LINBO3 DOPADO CON FE. SE HA ELABORADO UN METODO PARA MEDIR LA CONCENTRACION ABSOLUTA DE LOS PROTONES DENTRO DEL MATERIAL Y SE HA DETERMINADO EL VALOR MAS PRECISO DE LOS PUBLICADOS HASTA LA FECHA DE LA SECCION EFICAZ PARA LA ABSORCION INFRARROJA DE LA BANDA DE ABSORCION OH-, SIENDO =9.4.10-20 CM2. LAS INVESTIGACIONES SOBRE LA CINETICA DEL FIJADO HAN PUESTO DE MANIFIESTO LA COMPLEJIDAD DEL PROCESO. SE HA OBSERVADO POR PRIMERA VEZ EL IMPORTANTE PAPEL QUE JUEGA EL TIEMPO DE ESPERA ANTES DE GRABAR UNA RED A ALTA TEMPERATURA EN LOS BORRADOS TERMICOS. ASIMISMO SE HA ESTABLECIDO LA EXISTENCIA DE TRES PROCESOS DIFERENTES MEDIANTE LA DESCOMPOSICION DE LA CURVA DE BORRADO COMO SUMA DE TRES EXPONENCIALES SIMPLES. SE HA DETERMINADO LAS ENERGIAS DE ACTIVACION ASOCIADAS, COMPRENDIDAS ENTRE 1.16 EV Y 1.28 EV EN EL CASO DE "CORTA-ESPERA" Y ENTRE 0.8 EV Y 1.18 EV EN EL CASO DE "LARGA-ESPERA", ASI COMO LA CONSTANTE DE DIFUSION DE LOS PROTONES PARA EL PROCESO MAS LENTO, SIENDO DH0=8.7 CM2/S. SE HA ELABORADO CON EXITO UN METODO PARA PREPARAR FILTROS INTERFERENCIALES BASADOS EN REDES FIJADAS. ESTOS FILTROS MUESTRAN CARACTERISTICAS EXTRAORDINARIAS COMO UNA ANCHURA ESPECTRAL DE 0.5 A EN EL VISIBLE, UN AMPLIO CAMPO DE VISION DE 6, UNA REFLECTIVIDAD DE 32.5% Y LA POSIBILIDAD DE SINTONIZAR EL FILTRO DE DOS MANERAS INDEPENDIENTES: CON LA TEMPERATURA O CON CAMPOS ELECTRICOS. ESTE DESARROLLO HA SIDO POSIBLE GRACIAS A UNA SUSTANCIAL MEJORA DE LA EFICIENCIA DEL FIJADO Y REVELADO DE LAS REDES HOLOGRAFICAS CON EL USO ADECUADO DE CAMPOS ELECTRICOS INTERNOS, O EXTERNOS. EL DESARROLLO DE UN MODULADOR DE LUZ COHERENTE CON ESTE FILTRO INDICA EL INTERES TECNOLOGICO DE ESTE PRODUCTO.
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